Paskelbtas „Samsung 5nm“ procesas kartu su 4nm ir 3nm išsamia informacija

Ateina mažesni, efektyvesni lustai

Nors „Intel“ turėjo problemų su 10 nm procesoriumi ir tai buvo atidėta jau 3 kartus, „Samsung“ sugebėjo patekti į 7 nm procesą ir dabar mes turime išsamios informacijos apie „Samsung 5nm“ procesą. Maža to, „Samsung“ taip pat atskleidė informaciją apie 4 nm ir 3 nm procesus. Traškučiai taps mažesni ir efektyvesni, o tai reiškia, kad energijos suvartojimas bus mažesnis ir akumuliatoriaus tarnavimo laikas ilgesnis.

„Samsung 5nm“ procesas arba „5nm Low Power Early“ bus išskirta 7nm proceso versija su didesne energijos sąnaudomis. Po to „Samsung“ pereis prie 4 nm „Low Power Early“ ir „Low Power Plus“ procesų. 4 nm procesas bus paskutinė „FinFET“ technologijos karta.

„7nm LPP“ yra pirmasis puslaidininkių procesas, kuriame naudojamas EUV litografijos sprendimas, ir bus paruoštas masinei gamybai 2018 m. Antroje pusėje. TSMC ir „Globalfoundries“ taip pat paskelbė panašius planus ir bus pradėti gaminti 2019 m.

3 nm procesų mazgai priims GAA, kuri yra naujos kartos įrenginių architektūra. Tai buvo padaryta siekiant įveikti „FinFET“ architektūros fizinį mastelį ir našumo apribojimus. „Samsung“ kuria savo GAA technologiją MBCFET („Multi-Bridge-Channel FET“), kurioje naudojamas nano lakštų įrenginys. „Samsung“ teigia, kad 3 nm mazgų našumas bus žymiai pagerintas.

Pasak Charlie Bae, vykdomojo viceprezidento ir „Foundry Sales & Marketing“ vadovo:

„Tendencija į protingesnį, susietą pasaulį priverčia daugiau reikalauti iš silicio tiekėjų“,

Įdomu žinoti, kad mes jau žinome apie „Samsung 5nm“ procesą, taip pat apie 4nm ir 3 nm procesus, kol 7nm net nepasiekė gamybos. Tai reiškia, kad „Samsung“ ateityje žengia į priekį ir viską apgalvojo. Turėtų būti įdomu sužinoti, kokią naudą šie būsimi žetonai turės, palyginti su tais, kuriuos šiuo metu turime rinkoje.

Turėdamas visa tai omenyje, „Intel“ tikrai turi pasivyti ir paspartinti savo procesus.

Praneškite mums, ką manote apie „Samsung 5nm“ procesą ir ar tai jus domina.