IBM tyrimų mokslininkas Nicolas Loubet Šaltinis - „VentureBeat“
Buvo laikas, kai kiekviena nauja išmaniųjų telefonų karta pasirodė daug geriau nei ankstesnė kartojimas. Kaip ir bendras „iPhone“ našumas iki „iPhone 7“. Tai galioja ir daugeliui pavyzdinių „Android“ įrenginių, tokių kaip „Note“ ir „Galaxy“ serijos.
Didelę to dalį galima priskirti mobiliesiems procesoriams. „IPhone 5s“ „GeekBench“ turėjo vieną pagrindinį rezultatą - 1400, o daugelio branduolių įvertinimą - 2500. „iPhone 6s“ ženkliai išaugo. „GeekBench“ jis surinko 2536 taškus viename ir 4383 taškus. Bet su „iPhone XS“ ir „iPhone X“ nėra labai didelio skirtumo. „IPhone X“ turi vieną pagrindinį rezultatą - 4210, o „Multi-Core“ - apie 10125, o „iPhone XS“ - apie 4795 vieno branduolio ir apie 11149 - daugelio branduolių balą. „Multi-Core“ našumas skiriasi maždaug 10%. Pelnas sulėtėjo ir „Qualcomm Snapdragon“ pusėje, palyginti su ankstesnėmis kartomis.
Tai gali būti siejama su sunkumais dar labiau sumažinti procesoriaus mirtį. „Snapdragon 810“ buvo 20 nm procesas, tada mes turėjome „Snapdragon 820“ ant 14 nm. Dabartinis pavyzdinis „Snapdragon 845“ yra 10 nm proceso. Nors tiek „A12 Bionic“, tiek „Kirin 980“ šiais metais vyksta 7 nm.
Litografijos mastelio keitimo technologijos
Šaltinis - „TweakTown“
Tačiau tikroji problema bus jų mažėjimas žemiau 6 nm. Lustų gamybos įmonė „TSMC“ pareiškė planuojanti pereiti iki 5 nm iki 2020 m. Ir 3 nm iki 2022 m. Taikant naują metodą, vadinamą kraštutine ultravioletinių spindulių litografija. Taigi tai tikrai įmanoma, tačiau tai nebus pigu. Kaip ir kiekvienam naujam standartui, gamybos sąnaudos didėja, ir tai nutiks ir čia.
Litografijos skaičiai yra gana svarbūs, nes jie reiškia atstumą tarp tranzistorių ir jų glaudumą. Mažesni skaičiai reiškia mažesnį atstumą tarp tranzistorių, o tai reiškia, kad elektronai gali greičiau skersuoti. Kartu su našumo patobulinimais taip pat pastebimai pagerėja efektyvumas. Moores'o įstatymas buvo nuostabi priemonė, leidžianti prognozuoti skaičiavimo našumo didėjimą laikui bėgant, tačiau esant dabartiniam tranzistoriaus sąstingiui jis gali nesutapti, nebent būtų pereita prie naujo standarto.
Kai kurių nuomone šaltiniai , perėjimas nuo 10 nm iki 5 nm padidins energijos vartojimo efektyvumą 4 kartus, o ženkliai padidės našumas. Bus įdomu sužinoti, kokiu keliu „Apple“ eis kitais metais, jie gali pereiti prie 6 nm arba tiesiog patobulinti savo dabartinę 7 nm platformą.
Nors procesoriaus našumas kasmet gali ir nebestebėti, gamintojai gali ieškoti didelių patobulinimų, pavyzdžiui, akumuliatorių technologijos. Kelios kitos bendrovės, tokios kaip „Samsung“, „Global Foundries“ ir „TSMC“, varžosi dėl 5nm patekimo, tačiau bus įdomu pamatyti, kas ten pateks pirmas.
Žymos 7nm Snapdragon
