„Apple iPhone 11 (R) Geekbench“ sąrašas atskleidžia 4 GB RAM ir nedidelį našumą

„Apple iPhone XR“

„Cupertino“ milžinas yra pasirengęs paskelbti apie kitos kartos „iPhone“ telefonai rugsėjo 10 d . Bendrovė neseniai išplatino kvietimus patvirtinti „Tik naujovių dėka“ įvykis. Kol kas pranešimai rodo. naujos kartos „iPhone XR“ bus pramintas „iPhone 11.“. Šiandien tariamai „iPhone 11“ pasirodė „Geekbench“ sąrašas kuris išleidžia keletą detalių apie aparatūros meistriškumą prieš oficialų pranešimą. Dėl galingesnio A13 lustų rinkinio „iPhone 11“ pagerina našumo skyrių.

Pranešama, kad A13 SoC yra vienas iš tokio tipo lustų rinkinių, sukurtų naudojant TSMC N7 Pro procesas . Šis sąrašas rodo, kad A13 SoC turi pirmtaką „Hexa“ branduolius. Įrenginys veikia naudojant naujausią „iOS 13.1“. Tie, kurie nežino „iPhone XR“, vidiniu pavadinimu yra N104. Pagrindinės plokštės identifikatorius taip pat rodo, kad minėtas telefonas iš tikrųjų yra kitas pigesnis „Apple“ „iPhone“.

„Apple iPhone 11 (R) Geekbench“

A13 SoC Geekbench našumas

Ryškiausias pokytis yra RAM padidėjimas, kartu su įrenginiu 4 GB RAM vietoj 3 GB, kaip ir jo pirmtakas. Taigi galime tikėtis, kad „iPhone XS“ įpėdinis turės dar daugiau RAM. Kalbant apie našumą, A13 SoC žymiai pagerina vieno branduolio skyrių, tuo tarpu kelių branduolių segmento padidėjimas nėra gana didelis.

A13 SoC bazinis dažnis yra 2,66 GHz kuris yra šiek tiek didesnis už pirmtako bazinį dažnį 2,49 GHz. Prietaisas pasiektas 5415 taškų per vieno branduolio testą kadangi atlikus daugelio branduolių bandymą prietaisas pasiektas 11294 taškai . Kadangi šie balai nėra iš jokių oficialių šaltinių, rekomenduosime informaciją paimti su žiupsneliu druskos. Gerai tai, kad „Apple“ gerbėjams nereikia laukti ilgiau, nes iki oficialaus pranešimo liko mažiau nei savaitė. Sekite naujienas, mes jus nuolat atnaujinsime.